DTC115GU3HZGT106
Номер детали:
DTC115GU3HZGT106
Категория продукта:
Однопереходные биполярные транзисторы с предварительным смещением
Производитель:
ROHM Semiconductor
Описание:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
Характеристики
- Тип монтажа Surface Mount
- Статус детали Not For New Designs
- Ток коллектора (Ic) (макс.) 100 mA
- Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 50 V
- Класс Automotive
- Квалификация AEC-Q101
- Насыщение Vce (макс.) при Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
- Ток отсечки коллектора (макс.) 500nA (ICBO)
- Тип транзистора NPN - Pre-Biased
- Мощность - Максимальная 200 mW
- Корпус SC-70, SOT-323
- Резистор - База Эмиттера (R2) 100 kOhms
- Частота - Переход 250 MHz
- Поставщик Устройство Корпус UMT3
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce 82 @ 5mA, 5V
- Резисторы включены R2 Only