EM6M2T2R
Номер детали:
EM6M2T2R
Категория продукта:
FET, массивы MOSFET
Производитель:
ROHM Semiconductor
Описание:
MOSFET N/P-CH 20V 0.2A EMT6
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Рабочая температура 150°C (TJ)
- Конфигурация N and P-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss) 20V
- FET Особенности Logic Level Gate
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs -
- Мощность - Максимальная 150mW
- Корпус SOT-563, SOT-666
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 200mA
- Поставщик Устройство Корпус EMT6
- Vgs(th) (макс.) при Id 1V @ 1mA
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 25pF @ 10V
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 1Ohm @ 200mA, 4V