F3L6MR20W2M1HB70BPSA1
Номер детали:
F3L6MR20W2M1HB70BPSA1
Категория продукта:
FET, массивы MOSFET
Производитель:
Infineon Technologies
Описание:
F3L6MR20W2M1HB70BPSA1
Упаковка:
Tray
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Chassis Mount
- Поставщик Устройство Корпус -
- FET Особенности -
- Класс -
- Квалификация -
- Корпус Module
- Мощность - Максимальная -
- Рабочая температура -40°C ~ 175°C (TJ)
- Технология Silicon Carbide (SiC)
- Конфигурация 4 N-Channel
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 297nC @ 18V
- Напряжение сток-исток (Vdss) 2000V (2kV)
- Vgs(th) (макс.) при Id 5.15V @ 112mA
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 24100pF @ 1.2kV
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 155A (Tj)
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 8.7mOhm @ 100A, 18V