F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1
Номер детали:
F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1
Категория продукта:
FET, массивы MOSFET
Производитель:
Infineon Technologies
Описание:
MOSFET 2N-CH 1200V 85A AG-EASY2B
Упаковка:
Tray
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Chassis Mount
- FET Особенности -
- Корпус Module
- Мощность - Максимальная -
- Рабочая температура -40°C ~ 175°C (TJ)
- Конфигурация 2 N-Channel (Half Bridge)
- Технология Silicon Carbide (SiC)
- Напряжение сток-исток (Vdss) 1200V (1.2kV)
- Поставщик Устройство Корпус AG-EASY2B
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 85A (Tj)
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 12mOhm @ 100A, 18V
- Vgs(th) (макс.) при Id 5.15V @ 40mA
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 297nC @ 18V
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 8800pF @ 800V