F445MR12W1M1B76BPSA1
Номер детали:
F445MR12W1M1B76BPSA1
Категория продукта:
FET, массивы MOSFET
Производитель:
Infineon Technologies
Описание:
MOSFET 4N-CH 1200V 25A AG-EASY1B
Упаковка:
Tray
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Obsolete
- Тип монтажа Chassis Mount
- FET Особенности -
- Корпус Module
- Рабочая температура -40°C ~ 150°C (TJ)
- Мощность - Максимальная -
- Конфигурация 4 N-Channel (Full Bridge)
- Технология Silicon Carbide (SiC)
- Напряжение сток-исток (Vdss) 1200V (1.2kV)
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 25A (Tj)
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 45mOhm @ 25A, 15V
- Vgs(th) (макс.) при Id 5.55V @ 10mA
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 62nC @ 15V
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 1840pF @ 800V
- Поставщик Устройство Корпус AG-EASY1B-2