FDMS3668S
Номер детали:
FDMS3668S
Категория продукта:
FET, массивы MOSFET
Производитель:
Fairchild Semiconductor
Описание:
MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A 8PQFN
Упаковка:
Bulk
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- FET Особенности Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток (Vdss) 30V
- Мощность - Максимальная 1W
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 8mOhm @ 13A, 10V
- Vgs(th) (макс.) при Id 2.7V @ 250µA
- Конфигурация 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
- Корпус 8-PowerTDFN
- Поставщик Устройство Корпус 8-PQFN (5x6)
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 29nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 1765pF @ 15V
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 13A, 18A