FDR8308P
Номер детали:
FDR8308P
Категория продукта:
FET, массивы MOSFET
Производитель:
Fairchild Semiconductor
Описание:
MOSFET 2P-CH 20V 3.2A SUPERSOT-8
Упаковка:
Bulk
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Obsolete
- Тип монтажа Surface Mount
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Vgs(th) (макс.) при Id 1.5V @ 250µA
- Напряжение сток-исток (Vdss) 20V
- FET Особенности Logic Level Gate
- Конфигурация 2 P-Channel (Dual)
- Поставщик Устройство Корпус SuperSOT™-8
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 3.2A
- Корпус 8-TSOP (0.130", 3.30mm Width)
- Мощность - Максимальная 800mW
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 19nC @ 4.5V
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 50mOhm @ 3.2A, 4.5V
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 1240pF @ 10V