FF1MR12MM1HPB11BPSA1
Номер детали:
FF1MR12MM1HPB11BPSA1
Категория продукта:
FET, массивы MOSFET
Производитель:
Infineon Technologies
Описание:
FF1MR12MM1HPB11BPSA1
Упаковка:
Box
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Chassis Mount
- FET Особенности -
- Класс -
- Квалификация -
- Корпус Module
- Мощность - Максимальная -
- Рабочая температура -40°C ~ 175°C (TJ)
- Конфигурация 2 N-Channel (Half Bridge)
- Технология Silicon Carbide (SiC)
- Напряжение сток-исток (Vdss) 1200V (1.2kV)
- Поставщик Устройство Корпус AG-ECONOD
- Vgs(th) (макс.) при Id 5.15V @ 224mA
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 1600nC @ 18V
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 48400pF @ 800V
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 1.91mOhm @ 500A, 18V
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 470A (Tj)