FF4MR12W2M1HB11BPSA1
Номер детали:
FF4MR12W2M1HB11BPSA1
Категория продукта:
FET, массивы MOSFET
Производитель:
Infineon Technologies
Описание:
MOSFET 2N-CH 1200V 170A MODULE
Упаковка:
Tray
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Chassis Mount
- FET Особенности -
- Корпус Module
- Мощность - Максимальная -
- Поставщик Устройство Корпус Module
- Рабочая температура -40°C ~ 175°C (TJ)
- Конфигурация 2 N-Channel (Half Bridge)
- Технология Silicon Carbide (SiC)
- Напряжение сток-исток (Vdss) 1200V (1.2kV)
- Vgs(th) (макс.) при Id 5.15V @ 80mA
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 170A (Tj)
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 4mOhm @ 200A, 18V
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 594nC @ 18V
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 17600pF @ 800V