FF6MR12KM1BOSA1
Номер детали:
FF6MR12KM1BOSA1
Категория продукта:
FET, массивы MOSFET
Производитель:
Infineon Technologies
Описание:
MOSFET 2N-CH 1200V 250A AG-62MM
Упаковка:
Tray
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
Характеристики
- Статус детали Obsolete
- Тип монтажа Chassis Mount
- FET Особенности -
- Корпус Module
- Рабочая температура -40°C ~ 150°C (TJ)
- Мощность - Максимальная -
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 250A (Tc)
- Конфигурация 2 N-Channel (Half Bridge)
- Технология Silicon Carbide (SiC)
- Напряжение сток-исток (Vdss) 1200V (1.2kV)
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 496nC @ 15V
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 14700pF @ 800V
- Поставщик Устройство Корпус AG-62MM
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 5.81mOhm @ 250A, 15V
- Vgs(th) (макс.) при Id 5.15V @ 80mA