FF6MR12W2M1HB70BPSA1
Номер детали:
FF6MR12W2M1HB70BPSA1
Категория продукта:
FET, массивы MOSFET
Производитель:
Infineon Technologies
Описание:
LOW POWER EASY
Упаковка:
Tray
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Chassis Mount
- Поставщик Устройство Корпус -
- Класс -
- Квалификация -
- Корпус Module
- Рабочая температура -40°C ~ 150°C (TJ)
- Мощность - Максимальная -
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 150A
- Конфигурация 2 N-Channel (Half Bridge)
- Технология Silicon Carbide (SiC)
- FET Особенности Silicon Carbide (SiC)
- Vgs(th) (макс.) при Id 5.15V @ 60mA
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 446nC @ 18V
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 13200pF @ 800V