FF8MR12W2M1B11BOMA1
Номер детали:
FF8MR12W2M1B11BOMA1
Категория продукта:
FET, массивы MOSFET
Производитель:
Infineon Technologies
Описание:
MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY2BM-2
Упаковка:
Tray
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
Характеристики
- Статус детали Obsolete
- Тип монтажа Chassis Mount
- FET Особенности -
- Корпус Module
- Рабочая температура -40°C ~ 150°C (TJ)
- Мощность - Максимальная -
- Конфигурация 2 N-Channel (Dual)
- Технология Silicon Carbide (SiC)
- Напряжение сток-исток (Vdss) 1200V (1.2kV)
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 150A (Tj)
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 150A, 15V (Typ)
- Vgs(th) (макс.) при Id 5.55V @ 60mA
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 372nC @ 15V
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 11000pF @ 800V
- Поставщик Устройство Корпус AG-EASY2BM-2