G06NP06S2
Номер детали:
G06NP06S2
Категория продукта:
FET, массивы MOSFET
Производитель:
Goford Semiconductor
Описание:
MOSFET N/P-CH 60V 6A 8SOP
Упаковка:
Tape & Reel (TR)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Корпус 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- FET Особенности -
- Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 6A (Tc)
- Напряжение сток-исток (Vdss) 60V
- Поставщик Устройство Корпус 8-SOP
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 22nC @ 10V, 25nC @ 10V
- Vgs(th) (макс.) при Id 2.5V @ 250µA, 3.5V @ 250µA
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 35mOhm @ 6A, 10V, 45mOhm @ 5A, 10V
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 1350pF @ 30V, 2610pF @ 30V
- Мощность - Максимальная 2W (Tc), 2.5W (Tc)