G080N10T
Номер детали:
G080N10T
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
Goford Semiconductor
Описание:
MOSFET N-CH 100V 180A TO-220
Упаковка:
Tube
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Тип монтажа Through Hole
- Статус детали Active
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток (Vdss) 100 V
- Vgs (макс.) ±20V
- FET Особенности -
- Класс -
- Квалификация -
- Корпус TO-220-3
- Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Поставщик Устройство Корпус TO-220
- Vgs(th) (макс.) при Id 2.5V @ 250µA
- Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 4.5V, 10V
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 180A (Tc)
- Рассеиваемая мощность (максимальная) 370W (Tc)
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 30A, 10V
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 107 nC @ 4.5 V
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 13912 pF @ 50 V