G090P02S

G090P02S

Номер детали: G090P02S
Производитель: Goford Semiconductor
Описание: MOSFET P-CH 20V 11A SOP-8
Упаковка: Cut Tape (CT)
Состояние ROHS: Да
Валюта: -

Характеристики

  • Статус детали Active
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Корпус 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Технология MOSFET (Metal Oxide)
  • FET Особенности -
  • Класс -
  • Квалификация -
  • Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип полевого транзистора P-Channel
  • Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 11A (Tc)
  • Напряжение сток-исток (Vdss) 20 V
  • Поставщик Устройство Корпус 8-SOP
  • Vgs (макс.) ±12V
  • Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 2.5V, 4.5V
  • Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 47 nC @ 10 V
  • Рассеиваемая мощность (максимальная) 3.3W (Tc)
  • Vgs(th) (макс.) при Id 1.1V @ 250µA
  • Rds On (Макс) @ Id, Vgs 9mOhm @ 1A, 4.5V
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 2225 pF @ 10 V