G120N03D32
Номер детали:
G120N03D32
Категория продукта:
FET, массивы MOSFET
Производитель:
Goford Semiconductor
Описание:
MOSFET 2N-CH 30V 28A 8DFN
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- FET Особенности -
- Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 28A (Tc)
- Конфигурация 2 N-Channel (Dual)
- Напряжение сток-исток (Vdss) 30V
- Vgs(th) (макс.) при Id 2.2V @ 250µA
- Корпус 8-PowerVDFN
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 18nC @ 10V
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 12mOhm @ 10A, 10V
- Поставщик Устройство Корпус 8-DFN (3.15x3.05)
- Мощность - Максимальная 20W (Tc)
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 1089pF @ 15V