G2014
Номер детали:
G2014
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
Goford Semiconductor
Описание:
N20V,RD(MAX)<9M@4.5V,RD(MAX)<11M
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- FET Особенности -
- Класс -
- Квалификация -
- Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 14A (Tc)
- Напряжение сток-исток (Vdss) 20 V
- Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 2.5V, 10V
- Vgs (макс.) ±12V
- Vgs(th) (макс.) при Id 900mV @ 250µA
- Корпус 6-WDFN Exposed Pad
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 17.5 nC @ 4.5 V
- Поставщик Устройство Корпус 6-DFN (2x2)
- Рассеиваемая мощность (максимальная) 3W (Tc)
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 1710 pF @ 10 V
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 7mOhm @ 5A, 10V