G230P06S
Номер детали:
G230P06S
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
Goford Semiconductor
Описание:
P-60V,-8A,RD(MAX)<23M@-10V,VTH-2
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Корпус 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 10V
- Vgs(th) (макс.) при Id 4V @ 250µA
- Vgs (макс.) ±20V
- FET Особенности -
- Класс -
- Квалификация -
- Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Тип полевого транзистора P-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss) 60 V
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 62 nC @ 10 V
- Поставщик Устройство Корпус 8-SOP
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 9A (Tc)
- Рассеиваемая мощность (максимальная) 3W (Tc)
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 23mOhm @ 5A, 10V
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 4784 pF @ 30 V