G2K2P10S2E
Номер детали:
G2K2P10S2E
Категория продукта:
FET, массивы MOSFET
Производитель:
Goford Semiconductor
Описание:
MOSFET 2P-CH 100V 3.5A 8SOP
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Корпус 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- FET Особенности -
- Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 3.5A (Tc)
- Vgs(th) (макс.) при Id 2.5V @ 250µA
- Поставщик Устройство Корпус 8-SOP
- Конфигурация 2 P-Channel (Dual)
- Напряжение сток-исток (Vdss) 100V
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 23nC @ 10V
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 200mOhm @ 3A, 10V
- Мощность - Максимальная 3.1W (Tc)
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 1623pF @ 50V