G2K3N10H
Номер детали:
G2K3N10H
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
Goford Semiconductor
Описание:
MOSFET, N-CH,100V, 2A,SOT-223
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток (Vdss) 100 V
- Vgs (макс.) ±20V
- FET Особенности -
- Класс -
- Квалификация -
- Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 2A (Tc)
- Vgs(th) (макс.) при Id 2V @ 250µA
- Корпус TO-261-4, TO-261AA
- Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 4.5V, 10V
- Поставщик Устройство Корпус SOT-223
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 13 nC @ 10 V
- Рассеиваемая мощность (максимальная) 2.4W (Tc)
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 220mOhm @ 2A, 10V
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 434 pF @ 50 V