G2K3N10H

G2K3N10H

Номер детали: G2K3N10H
Производитель: Goford Semiconductor
Описание: MOSFET N-CH 100V 2A SOT-223
Упаковка: Tape & Reel (TR)
Состояние ROHS: Да
Валюта: -

Характеристики

  • Статус детали Active
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Технология MOSFET (Metal Oxide)
  • Vgs (макс.) ±20V
  • FET Особенности -
  • Класс -
  • Квалификация -
  • Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 2A (Tc)
  • Vgs(th) (макс.) при Id 2V @ 250µA
  • Корпус TO-261-4, TO-261AA
  • Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 4.5V, 10V
  • Поставщик Устройство Корпус SOT-223
  • Рассеиваемая мощность (максимальная) 2.4W (Tc)
  • Rds On (Макс) @ Id, Vgs 220mOhm @ 2A, 10V