G30N04D3

G30N04D3

Номер детали: G30N04D3
Производитель: Goford Semiconductor
Описание: MOSFET N-CH 40V 30A DFN3*3-8L
Упаковка: Tape & Reel (TR)
Состояние ROHS: Да
Валюта: -

Характеристики

  • Статус детали Active
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Технология MOSFET (Metal Oxide)
  • Vgs (макс.) ±20V
  • FET Особенности -
  • Класс -
  • Квалификация -
  • Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 30A (Tc)
  • Vgs(th) (макс.) при Id 2.5V @ 250µA
  • Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 4.5V, 10V
  • Rds On (Макс) @ Id, Vgs 9.5mOhm @ 20A, 10V
  • Корпус 8-PowerVDFN
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 1780 pF @ 20 V
  • Рассеиваемая мощность (максимальная) 19.8W (Tc)
  • Поставщик Устройство Корпус 8-DFN (3.15x3.05)