GAN039-650NBBHP
Номер детали:
GAN039-650NBBHP
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
Nexperia USA Inc.
Описание:
650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 10V
- Vgs (макс.) ±20V
- FET Особенности -
- Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Класс -
- Квалификация -
- Рассеиваемая мощность (максимальная) 300W (Tc)
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 30 nC @ 10 V
- Напряжение сток-исток (Vdss) 650 V
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 60A (Tc)
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 1500 pF @ 400 V
- Vgs(th) (макс.) при Id 4.8V @ 1mA
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 39mOhm @ 32A, 10V
- Поставщик Устройство Корпус CCPAK1212
- Корпус 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad