GCMX020A120B3H1P
Номер детали:
GCMX020A120B3H1P
Категория продукта:
FET, массивы MOSFET
Производитель:
SemiQ
Описание:
MOSFET 4N-CH 1200V 93A
Упаковка:
Tray
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Chassis Mount
- Поставщик Устройство Корпус -
- FET Особенности -
- Класс -
- Квалификация -
- Корпус Module
- Рабочая температура -40°C ~ 175°C (TJ)
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 93A (Tc)
- Конфигурация 4 N-Channel (Full Bridge)
- Технология Silicon Carbide (SiC)
- Напряжение сток-исток (Vdss) 1200V (1.2kV)
- Vgs(th) (макс.) при Id 4V @ 20mA
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 28mOhm @ 50A, 20V
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 250nC @ 20V
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 6700pF @ 800V
- Мощность - Максимальная 300W (Tc)