GE17140CEA3
Номер детали:
GE17140CEA3
Категория продукта:
FET, массивы MOSFET
Производитель:
GE Aerospace
Описание:
SIC 2N-CH 1700V 1275A MODULE
Упаковка:
Bulk
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Chassis Mount
- FET Особенности -
- Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Квалификация AEC-Q101
- Корпус Module
- Поставщик Устройство Корпус Module
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs -
- Конфигурация 2 N-Channel (Half Bridge)
- Технология Silicon Carbide (SiC)
- Напряжение сток-исток (Vdss) 1700V (1.7kV)
- Vgs(th) (макс.) при Id 4.5V @ 480mA
- Мощность - Максимальная 3.75kW
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 1.275kA
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 3621nC @ 18V
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 82nF @ 600V