GPI65008DF68
Номер детали:
GPI65008DF68
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
GaNPower
Описание:
GaNFET N-CH 650V 8A DFN6x8
Упаковка:
Tape & Reel (TR)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Класс -
- Квалификация -
- Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Напряжение сток-исток (Vdss) 650 V
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 8A
- Технология GaNFET (Gallium Nitride)
- Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 6V
- Vgs (макс.) +7.5V, -12V
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 2.1 nC @ 6 V
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 63 pF @ 400 V
- Vgs(th) (макс.) при Id 1.7V @ 3.5mA