GPI90010DF88

GPI90010DF88

Номер детали: GPI90010DF88
Категория продукта: Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель: GaNPower
Описание: GaNFET N-CH 900V 10A DFN8x8
Упаковка: Tape & Reel (TR)
Состояние ROHS: Да
Валюта: -
PDF: Данные

Характеристики

  • Статус детали Active
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Класс -
  • Квалификация -
  • Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Напряжение сток-исток (Vdss) 900 V
  • Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 10A
  • Технология GaNFET (Gallium Nitride)
  • Корпус 8-DFN
  • Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 6V
  • Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 2.6 nC @ 6 V
  • Vgs (макс.) +7.5V, -12V
  • Vgs(th) (макс.) при Id 1.2V @ 3.5mA
  • Поставщик Устройство Корпус 8-DFN (8x8)
  • Rds On (Макс) @ Id, Vgs 162mOhm @ 2.5A, 6V
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 78 pF @ 400 V