GS-065-004-1-L-MR

GS-065-004-1-L-MR

Номер детали: GS-065-004-1-L-MR
Категория продукта: Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель: Infineon Technologies
Описание: GS-065-004-1-L-MR
Упаковка: Cut Tape (CT)
Состояние ROHS: Да
Валюта: -

Характеристики

  • Статус детали Active
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • FET Особенности -
  • Класс -
  • Квалификация -
  • Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 4A (Tc)
  • Рассеиваемая мощность (максимальная) -
  • Рабочая температура -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Напряжение сток-исток (Vdss) 650 V
  • Корпус 8-PowerVDFN
  • Vgs(th) (макс.) при Id 2.6V @ 1mA
  • Технология GaNFET (Gallium Nitride)
  • Поставщик Устройство Корпус 8-PDFN (5x6)
  • Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 6V
  • Rds On (Макс) @ Id, Vgs 570mOhm @ 1.2A, 6V
  • Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 0.7 nC @ 6 V
  • Vgs (макс.) +7V, -10V
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 30 pF @ 400 V