GS0650186LRMRXUSA1
Номер детали:
GS0650186LRMRXUSA1
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
Infineon Technologies
Описание:
GS-065-018-6-LR-MR
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип полевого транзистора N-Channel
- FET Особенности -
- Класс -
- Квалификация -
- Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Рассеиваемая мощность (максимальная) -
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 23A (Tc)
- Корпус 8-VDFN Exposed Pad
- Напряжение сток-исток (Vdss) 700 V
- Технология GaNFET (Gallium Nitride)
- Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 6V
- Vgs (макс.) +7V, -10V
- Поставщик Устройство Корпус 8-PDFN (8x8)
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 90mOhm @ 5.5A, 6V
- Vgs(th) (макс.) при Id 2.6V @ 4.8mA
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 4.2 nC @ 6 V
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 132 pF @ 400 V