GS66502BMRXUSA1
Номер детали:
GS66502BMRXUSA1
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
Infineon Technologies
Описание:
GS66502B-MR
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Last Time Buy
- Тип монтажа Surface Mount
- Поставщик Устройство Корпус -
- Тип полевого транзистора N-Channel
- FET Особенности -
- Класс -
- Квалификация -
- Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Рассеиваемая мощность (максимальная) -
- Напряжение сток-исток (Vdss) 650 V
- Корпус 3-SMD, No Lead
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 7.5A (Tc)
- Технология GaNFET (Gallium Nitride)
- Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 6V
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 1.6 nC @ 6 V
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 60 pF @ 400 V
- Vgs (макс.) +7V, -10V
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 260mOhm @ 2.25A, 6V
- Vgs(th) (макс.) при Id 2.6V @ 1.75mA