GS66516BTRXUMA1

GS66516BTRXUMA1

Номер детали: GS66516BTRXUMA1
Категория продукта: Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель: Infineon Technologies
Описание: GS66516B-TR
Упаковка: Tape & Reel (TR)
Состояние ROHS: Да
Валюта: -
PDF: Данные

Характеристики

  • Статус детали Last Time Buy
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • FET Особенности -
  • Класс -
  • Квалификация -
  • Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Рассеиваемая мощность (максимальная) -
  • Напряжение сток-исток (Vdss) 650 V
  • Корпус Die
  • Поставщик Устройство Корпус Die
  • Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 60A (Tc)
  • Технология GaNFET (Gallium Nitride)
  • Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 6V
  • Vgs (макс.) +7V, -10V
  • Rds On (Макс) @ Id, Vgs 32mOhm @ 18A, 6V
  • Vgs(th) (макс.) при Id 1.3V @ 14mA
  • Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 12.1 nC @ 6 V
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 520 pF @ 400 V