GSFA20106
Номер детали:
GSFA20106
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
Good-Ark Semiconductor
Описание:
MOSFET, N-CH, SINGLE, 106.00A, 2
Упаковка:
Tube
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Тип монтажа Through Hole
- Статус детали Active
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 10V
- Vgs(th) (макс.) при Id 4V @ 250µA
- Vgs (макс.) ±20V
- FET Особенности -
- Класс -
- Квалификация -
- Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Напряжение сток-исток (Vdss) 200 V
- Корпус TO-247-3
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 106A (Tc)
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 64 nC @ 10 V
- Рассеиваемая мощность (максимальная) 340W (Tc)
- Поставщик Устройство Корпус TO-247
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 10.7mOhm @ 88A, 10V
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 4720 pF @ 100 V