GSFG65R900

GSFG65R900

Номер детали: GSFG65R900
Производитель: Good-Ark Semiconductor
Описание: MOSFET, N-CH, SINGLE, 5.00A, 650
Упаковка: Tube
Состояние ROHS: Да
Валюта: -

Характеристики

  • Тип монтажа Through Hole
  • Статус детали Active
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Технология MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 10V
  • Vgs(th) (макс.) при Id 4V @ 250µA
  • FET Особенности -
  • Класс -
  • Квалификация -
  • Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Рассеиваемая мощность (максимальная) 42W (Tc)
  • Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 5A (Tc)
  • Vgs (макс.) ±30V
  • Корпус TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA
  • Напряжение сток-исток (Vdss) 650 V
  • Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 13 nC @ 10 V
  • Rds On (Макс) @ Id, Vgs 900mOhm @ 2.5A, 10V
  • Поставщик Устройство Корпус TO-251
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 300 pF @ 100 V