GT035N12T
Номер детали:
GT035N12T
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
Goford Semiconductor
Описание:
MOSFET N-CH 120V 180A 230W 3.8m
Упаковка:
Tube
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Тип монтажа Through Hole
- Статус детали Active
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 10V
- Vgs(th) (макс.) при Id 4V @ 250µA
- Vgs (макс.) ±20V
- FET Особенности -
- Класс -
- Квалификация -
- Корпус TO-220-3
- Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Поставщик Устройство Корпус TO-220
- Рассеиваемая мощность (максимальная) 230W (Tc)
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 180A (Tc)
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 3.8mOhm @ 50A, 10V
- Напряжение сток-исток (Vdss) 120 V
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 116 nC @ 10 V
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 8336 pF @ 60 V