GT042P06T
Номер детали:
GT042P06T
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
Goford Semiconductor
Описание:
MOSFET P-CH 60V 160A TO-220
Упаковка:
Tube
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Тип монтажа Through Hole
- Статус детали Active
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs (макс.) ±20V
- FET Особенности -
- Корпус TO-220-3
- Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Тип полевого транзистора P-Channel
- Поставщик Устройство Корпус TO-220
- Vgs(th) (макс.) при Id 2.5V @ 250µA
- Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 4.5V, 10V
- Рассеиваемая мощность (максимальная) 280W (Tc)
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 160A (Tc)
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 15A, 10V