GT085N10TH
Номер детали:
GT085N10TH
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
Goford Semiconductor
Описание:
MOSFET N-CH 100V 70A 100W 8.5M(
Упаковка:
Tube
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Тип монтажа Through Hole
- Статус детали Active
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток (Vdss) 100 V
- Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 10V
- Vgs(th) (макс.) при Id 4V @ 250µA
- Vgs (макс.) ±20V
- FET Особенности -
- Класс -
- Квалификация -
- Корпус TO-220-3
- Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Поставщик Устройство Корпус TO-220
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 40 nC @ 10 V
- Рассеиваемая мощность (максимальная) 100W (Tc)
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 70A (Tc)
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 8.5mOhm @ 20A, 10V
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 2940 pF @ 50 V