GT090N06K

GT090N06K

Номер детали: GT090N06K
Производитель: Goford Semiconductor
Описание: MOSFET, N-CH, 60V,45A,TO-252
Упаковка: Cut Tape (CT)
Состояние ROHS: Да
Валюта: -

Характеристики

  • Статус детали Active
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Технология MOSFET (Metal Oxide)
  • Vgs (макс.) ±20V
  • FET Особенности -
  • Класс -
  • Квалификация -
  • Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Напряжение сток-исток (Vdss) 60 V
  • Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 22 nC @ 10 V
  • Корпус TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
  • Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 4.5V, 10V
  • Рассеиваемая мощность (максимальная) 52W (Tc)
  • Vgs(th) (макс.) при Id 2.4V @ 250µA
  • Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 45A (Tc)
  • Поставщик Устройство Корпус TO-252
  • Rds On (Макс) @ Id, Vgs 9mOhm @ 14A, 10V
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 1088 pF @ 30 V