GT130N20M
Номер детали:
GT130N20M
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
Goford Semiconductor
Описание:
MOSFET N-CH 200V 90A 250W TO-263
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 10V
- Vgs(th) (макс.) при Id 4V @ 250µA
- Vgs (макс.) ±20V
- FET Особенности -
- Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Напряжение сток-исток (Vdss) 200 V
- Корпус TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 90A (Tc)
- Поставщик Устройство Корпус TO-263
- Рассеиваемая мощность (максимальная) 250W (Tc)
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 77 nC @ 10 V
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 12mOhm @ 30A, 10V
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 5860 pF @ 100 V