GT700P08K

GT700P08K

Номер детали: GT700P08K
Производитель: Goford Semiconductor
Описание: MOSFET P-CH 80V 20A 125W 75m(max
Упаковка: Tape & Reel (TR)
Состояние ROHS: Да
Валюта: -

Характеристики

  • Статус детали Active
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Технология MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 10V
  • Vgs (макс.) ±20V
  • FET Особенности -
  • Класс -
  • Квалификация -
  • Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип полевого транзистора P-Channel
  • Рассеиваемая мощность (максимальная) 125W (Tc)
  • Напряжение сток-исток (Vdss) 60 V
  • Корпус TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
  • Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 20A (Tc)
  • Vgs(th) (макс.) при Id 3.5V @ 250µA
  • Поставщик Устройство Корпус TO-252
  • Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 75 nC @ 10 V
  • Rds On (Макс) @ Id, Vgs 72mOhm @ 2A, 10V
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 1615 pF @ 40 V