GT750P10M

GT750P10M

Номер детали: GT750P10M
Производитель: Goford Semiconductor
Описание: MOSFET P-CH 100V 24A TO-263
Упаковка: Tape & Reel (TR)
Состояние ROHS: Да
Валюта: -

Характеристики

  • Статус детали Active
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Технология MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток (Vdss) 100 V
  • Vgs (макс.) ±20V
  • Класс -
  • Квалификация -
  • Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 4.5V, 10V
  • Vgs(th) (макс.) при Id 3V @ 250µA
  • Корпус TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 24A (Tc)
  • Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 40 nC @ 10 V
  • Рассеиваемая мощность (максимальная) 79W (Tc)
  • Поставщик Устройство Корпус TO-263
  • Rds On (Макс) @ Id, Vgs 65mOhm @ 20A, 10V
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 1902 pF @ 50 V