HN1B01FU-Y(L,F,T)
Номер детали:
HN1B01FU-Y(L,F,T)
Категория продукта:
Биполярные транзисторные массивы
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Описание:
TRANS NPN/PNP 50V 150MA US6
Упаковка:
Tape & Reel (TR)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Ток отсечки коллектора (макс.) 100nA (ICBO)
- Насыщение Vce (макс.) при Ib, Ic 300mV @ 10mA, 100mA
- Частота - Переход 120MHz
- Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 50V
- Тип транзистора 1 NPN, 1 PNP
- Мощность - Максимальная 200mW
- Корпус 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Рабочая температура 125°C (TJ)
- Ток коллектора (Ic) (макс.) 150mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce 120 @ 2mA, 6V
- Поставщик Устройство Корпус US6