HN1B04FE-Y,LF
Номер детали:
HN1B04FE-Y,LF
Категория продукта:
Биполярные транзисторные массивы
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Описание:
TRANS NPN/PNP 50V 150MA ES6
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Ток отсечки коллектора (макс.) 100nA (ICBO)
- Рабочая температура 150°C (TJ)
- Частота - Переход 80MHz
- Насыщение Vce (макс.) при Ib, Ic 250mV @ 10mA, 100mA
- Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 50V
- Тип транзистора 1 NPN, 1 PNP
- Мощность - Максимальная 100mW
- Корпус SOT-563, SOT-666
- Ток коллектора (Ic) (макс.) 150mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce 120 @ 2mA, 6V
- Поставщик Устройство Корпус ES6