HN4C06J-BL(TE85L,F
Номер детали:
HN4C06J-BL(TE85L,F
Категория продукта:
Биполярные транзисторные массивы
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Описание:
TRANS 2NPN 120V 100MA SMV
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Насыщение Vce (макс.) при Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA
- Частота - Переход 100MHz
- Ток отсечки коллектора (макс.) 100nA (ICBO)
- Рабочая температура 150°C (TJ)
- Корпус SC-74A, SOT-753
- Ток коллектора (Ic) (макс.) 100mA
- Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 120V
- Мощность - Максимальная 300mW
- Поставщик Устройство Корпус SMV
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 6V
- Тип транзистора 2 NPN (Dual) Common Emitter