HT8KC6TB1
Номер детали:
HT8KC6TB1
Категория продукта:
FET, массивы MOSFET
Производитель:
ROHM Semiconductor
Описание:
MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8HSMT
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- FET Особенности -
- Рабочая температура 150°C (TJ)
- Vgs(th) (макс.) при Id 2.5V @ 1mA
- Конфигурация 2 N-Channel (Dual)
- Напряжение сток-исток (Vdss) 60V
- Корпус 8-PowerVDFN
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 29mOhm @ 6.5A, 10V
- Поставщик Устройство Корпус 8-HSMT (3.2x3)
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 7.6nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 460pF @ 30V
- Мощность - Максимальная 2W (Ta), 14W (Tc)
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 6.5A (Ta), 15A (Tc)