HUFA76413DK8T-F085P
Номер детали:
HUFA76413DK8T-F085P
Категория продукта:
FET, массивы MOSFET
Производитель:
onsemi
Описание:
MOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8SOIC
Упаковка:
Tape & Reel (TR)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
Характеристики
- Статус детали Obsolete
- Тип монтажа Surface Mount
- Корпус 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Поставщик Устройство Корпус 8-SOIC
- Класс Automotive
- Квалификация AEC-Q101
- Конфигурация 2 N-Channel (Dual)
- Vgs(th) (макс.) при Id 3V @ 250µA
- FET Особенности Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток (Vdss) 60V
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 5.1A (Tc)
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 23nC @ 10V
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 49mOhm @ 5.1A, 10V
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 620pF @ 25V
- Мощность - Максимальная 2.5W (Ta)