IAUCN04S6N017TATMA1
Номер детали:
IAUCN04S6N017TATMA1
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
Infineon Technologies
Описание:
MOSFET_(20V 40V)
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs (макс.) ±20V
- FET Особенности -
- Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Класс Automotive
- Квалификация AEC-Q101
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 49 nC @ 10 V
- Напряжение сток-исток (Vdss) 40 V
- Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 7V, 10V
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 3250 pF @ 25 V
- Рассеиваемая мощность (максимальная) 103W (Tc)
- Поставщик Устройство Корпус PG-LHDSO-10-1
- Корпус 10-LSOP (0.216", 5.48mm Width) Exposed Pad
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 58A (Ta), 120A (Tj)
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 1.73mOhm @ 60A, 10V
- Vgs(th) (макс.) при Id 3V @ 40µA