IAUCN08S7N019ATMA1
Номер детали:
IAUCN08S7N019ATMA1
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
Infineon Technologies
Описание:
MOSFET_(75V 120V(
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 10V
- FET Особенности -
- Класс Automotive
- Квалификация AEC-Q101
- Vgs(th) (макс.) при Id -
- Рассеиваемая мощность (максимальная) -
- Рабочая температура -55°C ~ 175°C
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 19 nC @ 10 V
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs -
- Напряжение сток-исток (Vdss) 80 V
- Vgs (макс.) -
- Корпус 8-PowerTDFN
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 175A
- Поставщик Устройство Корпус PG-TDSON-8-43