IAUMN08S5N013GAUMA1
Номер детали:
IAUMN08S5N013GAUMA1
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
Infineon Technologies
Описание:
MOSFET_(75V 120V(
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs (макс.) ±20V
- FET Особенности -
- Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Класс Automotive
- Квалификация AEC-Q101
- Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 6V, 10V
- Напряжение сток-исток (Vdss) 80 V
- Рассеиваемая мощность (максимальная) 307W (Tc)
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 1.3mOhm @ 100A, 10V
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 179 nC @ 10 V
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 250A (Tj)
- Поставщик Устройство Корпус PG-HSOG-4-1
- Корпус 4-PowerSFN
- Vgs(th) (макс.) при Id 3.8V @ 214µA
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 12496 pF @ 40 V