IMH23T110
Номер детали:
IMH23T110
Категория продукта:
Биполярные транзисторные массивы, предварительно смещенные
Производитель:
ROHM Semiconductor
Описание:
TRANS PREBIAS 2NPN 20V SMT6
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Ток отсечки коллектора (макс.) -
- Частота - Переход 150MHz
- Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 20V
- Мощность - Максимальная 300mW
- Резистор - База Эмиттера (R2) -
- Резистор - База (R1) 4.7kOhms
- Тип транзистора 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
- Ток коллектора (Ic) (макс.) 600mA
- Корпус SC-74, SOT-457
- Поставщик Устройство Корпус SMT6
- Насыщение Vce (макс.) при Ib, Ic 150mV @ 2.5mA, 50mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce 820 @ 50mA, 5V