IMH4AT110
Номер детали:
IMH4AT110
Категория продукта:
Биполярные транзисторные массивы, предварительно смещенные
Производитель:
ROHM Semiconductor
Описание:
TRANS PREBIAS 2NPN 50V SMT6
Упаковка:
Tape & Reel (TR)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Частота - Переход 250MHz
- Насыщение Vce (макс.) при Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V
- Ток отсечки коллектора (макс.) 500nA (ICBO)
- Ток коллектора (Ic) (макс.) 100mA
- Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 50V
- Мощность - Максимальная 300mW
- Резистор - База (R1) 10kOhms
- Резистор - База Эмиттера (R2) -
- Тип транзистора 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
- Корпус SC-74, SOT-457
- Поставщик Устройство Корпус SMT6